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本发明提供一种改善后段制程中金属沟槽缺陷的方法，半导体结构包括自下而上依次包括PMD、NDC层、TEOS层、ULK层；堆叠在ULK层上的叠层，叠层自下而上由第一NFDARC层、TiN层及第二NFDARC层组成；刻蚀叠层及ULK层至露出TEO...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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