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提供能够对多个SiC晶片间的氧化膜的厚度波动进行抑制的半导体装置的制造方法。还涉及半导体制造装置。在多个碳化硅晶片的下表面形成了第1无机膜后，以第1无机膜的厚度残留大于或等于750nm的方式进行多个碳化硅晶片的蚀刻，在蚀刻后进行热氧化处理而...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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