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本发明提供一种半导体膜，其包含含有金属原子的半导体量子点的聚集体及配位于半导体量子点的配体，其中半导体膜的光学特性中的激子吸收峰的半峰半宽为60nm以下。本发明还提供一种半导体膜的制造方法、光检测元件及图像传感器。感器。
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该专利属于富士胶片株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士胶片株式会社授权不得商用。

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