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一种半导体存储设备，包括源极层、沟道结构、在源极层上且在沟道结构的侧壁上间隔开的栅电极，以及公共源极线。栅电极包括第一字线组和第二字线组，第一字线组包括第一栅电极和第二栅电极，第二字线组包括第三栅电极和第四栅电极。响应于公共源极线的电压达到...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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