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本发明公开了一种高亮紫外LED芯片，包括衬底和衬底背面的DBR反射层，其特征在于，所述衬底的正面从下往上依次包括GaN层、n型GaN层、p型GaN层和透明导电薄膜IOX；所述DBR反射层由中心波长为490nm的DBR膜堆和中心波长为390n...
该专利属于佛山市光垒智能制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市光垒智能制造有限公司授权不得商用。

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