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本发明提供一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，包括芯轴图形，芯轴图形用于定义出半导体衬底上芯轴结构形成的位置，芯轴结构用于定义出侧墙形成的位置，侧墙用于作为刻蚀时的掩膜在半导体衬底上形成半导体结构；切割图形，切割图形用于对半导体衬底...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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