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氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，峰值发光波长在300nm～327nm的范围内，n型层以n型AlGaN系半导体构成，包含GaN系半导体所构成的1层以上的...
该专利属于创光科学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过创光科学株式会社授权不得商用。

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