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一种高强度芯片键合结构制造技术
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文档序号:36515760
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本发明涉及一种高强度芯片键合结构,包括用于连接n层芯片的连接结构,n≥2,所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成,一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到,以实现芯片之间的键合连接;不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连...
该专利属于闽都创新实验室所有,仅供学习研究参考,未经过闽都创新实验室授权不得商用。
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