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本发明提供一种单粒子辐照加固的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，通过引入突出的P型体区及低掺杂N型电阻区，提升抗单粒子辐照能力：阻断状态时，当重离子入射碳化硅MOSFET器件并沿入射路径产生大量电子空穴对时，沉积空穴从突出的P型体区快速抽...
该专利属于深圳信息职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳信息职业技术学院授权不得商用。

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