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本发明公开了一种全介质GMR型古斯汉森位移传感芯片，由三层结构组成，底层为透明介质基底，中间层为介质薄膜，上层为周期性排列的超表面光栅阵列；所述的介质薄膜的材料是高折射率低损耗的介质；所述的超表面光栅阵列的材料是较低折射率低损耗的介质；所述...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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