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一种IGBT驱动的保护电路制造技术
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文档序号:36499383
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本实用新型公开了一种IGBT驱动的保护电路,包括IGBT1和Q3,所述IGBT1的基极分别连接有R22、R21和D4,所述R21的一端Q3的发射极连接,所述Q3的集电极与基极之间并接有C11,且所述Q3的集电极与C11的连接端连接Q2,所述...
该专利属于广东贝磁电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东贝磁电子科技有限公司授权不得商用。
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