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本公开的复合基板由SiC基板(1)和含Si喷镀层(2)这两个部位构成，上述含Si喷镀层(2)在上述SiC基板(1)的一面、即与通过外延生长形成氮化物半导体层的面相反侧的面上设置成作为为了保持该SiC基板(1)的机械强度而进行支承的支承基板发...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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