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本发明涉及一种TSAG晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述TSAG晶体由TSAG粉体经提拉法制备而成，制备过程中，控制升温速率、晶体转速和提拉速度，同时，晶体旋转设置为顺时针，然后经过缩颈、放肩、等径、收尾脱离操作，制备的TSAG晶...
该专利属于安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司授权不得商用。

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