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本申请涉及超结MOS器件的反包外延层厚度监测方法。该方法包括：提供表层为硬质掩模层的半导体基底，半导体基底中形成有深沟槽；在半导体基底处于恒温状态下，逐渐向半导体基底上沉积第二导电类型外延层，使得第二导电类型外延层先逐渐填充深沟槽再逐渐反包...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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