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本申请涉及半导体技术领域，提供了一种多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备，该多通道HEMT器件包括：衬底和叠层设置在所述衬底上的成核层、缓冲层、基材层以及、复合沟道层和至少两个栅电极层；所述缓冲层、基材层、复合沟道层依次叠层设置在所述衬...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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