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本发明提供了一种等离子体增强原子层沉积设备及沉积方法。本发明的沉积设备，包括第一导管、第二导管，利用第一导管、第二导管将金属前驱体、载气分离，一方面第一导管内仅有金属前驱体通过，由于金属源的自限制反应，不会进一步沉积膜层，可以达到保持放电区...
该专利属于胡倩所有，仅供学习研究参考，未经过胡倩授权不得商用。

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