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一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件技术
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文档序号:36301272
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本发明涉及碳化硅技术领域,公开了一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件,首先利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成第一栅氧化层,再利用热氧化法透过第一栅氧化层在所述碳化硅外延表面形成第二栅氧化层,从而得到由第一栅氧化层和第二栅...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。
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