温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置，该制造方法即使为了减小鸟嘴而使基底氧化膜变薄，也能够抑制场氧化膜及其鸟嘴的大幅变形、缺陷的产生，能够形成容易得到期望的电特性的半导体元件。半导体装置的制造方法包括：在硅半导体基板(P型阱区域)的表面...
该专利属于艾普凌科有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾普凌科有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。