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本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件通孔制备的方法，包括：金刚石衬底背面激光刻蚀通孔，刻穿正面GaN器件源极金属；使用临时粘合材料将金刚石衬底GaN器件正面与临时载片键合；金刚石衬底背面及通孔内沉积种子层金属，并电镀沉积背金；去除正面临时载...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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