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本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方形成一个空腔；通过ALD...该专利属于南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司授权不得商用。