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本发明涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：提供半导体器件初体；形成金属层，所述金属层覆盖所述半导体器件初体的顶表面并且覆盖所述沟槽的内侧壁和底面但未填满所述沟槽；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述金属层，所述牺牲层的位于所述...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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