温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种沟槽栅型HEMT器件。所述沟槽栅型HEMT器件包括：双层栅介质层，设置在HEMT器件的栅极的第一侧、第二侧与凹槽内壁之间，单层栅介质层，设置在所述栅极的底部与凹槽内壁之间；所述单层栅介质层包括第一介质层，所述双层栅介质层包括...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。