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本发明公开一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构，属于半导体领域。本发明采用浓硼区设计和低电阻率外延制造工艺，其工艺包括如下步骤：低电阻率外延圆片准备、圆片清洗、场氧化、浓硼区注入、浓硼区扩散、淡硼基区注入、淡硼基区扩散、发射区注入、发射区...
该专利属于无锡中微晶园电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微晶园电子有限公司授权不得商用。

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