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本发明属于氧化镓薄膜技术领域，具体涉及一种加热与旋涂同步进行结合退火工艺制备氧化镓薄膜的方法。本发明方法是一种宽禁带半导体材料的创新性制备方式，采用液态金属镓单质及镓基化合物等作为前驱体，通过同时控制旋涂过程中的加热温度、升温速率、旋涂转速...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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