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本发明涉及了一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法，所述MEMS惯性传感器包括从下到上依次设置的衬底层、MEMS惯性传感器结构层和盖板；衬底层的上表面开设有多个第一凹槽和隔离槽；所述MEMS惯性传感器结构层上开设有多个通孔，作为...
该专利属于湖南云箭集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南云箭集团有限公司授权不得商用。

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