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本发明公开了一种制备碳化硅晶体的生长装置及碳化硅晶体的生长方法，该装置包括：第一坩埚，第一坩埚限定形成反应腔；籽晶，籽晶设置于反应腔内，所述籽晶限定出在上下方向上延伸的生长空腔；第二坩埚，第二坩埚设置于反应腔内，第二坩埚内放置碳化硅粉料，籽...
该专利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司授权不得商用。

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