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本发明涉及一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置。周期性结构包括若干周期单元，该方法包括：沿周期性结构底部到顶部的方向Z，将所述形貌模型划分出多个片层；基于每个所述片层在所述方向Z的介质分布，获取相应片层介电系数沿周期方向的连续函数...
该专利属于上海精测半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海精测半导体技术有限公司授权不得商用。

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