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本公开涉及在制造半导体器件领域中用于在衬底上沉积含过渡金属氮化物的材料的方法和设备。根据本公开的方法包括循环沉积过程，其中在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供有机金属过渡金属前体，并且以气相向反应室中提供氮前体，以在衬底上形成过渡金属氮化...
该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。

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