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本申请提供一种发光二极管制造方法及发光二极管，发光二极管制造方法，包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层、至少一层三维结构层、至少一层二维结构层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层；其中，三维结构层的第一生长条件为：转速500
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该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

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