下载一种采用叠瓦技术的Topcon结构电池及制备方法的技术资料

文档序号:36100797

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本发明提供一种采用叠瓦技术的Topcon结构电池制备方法,包括:对N型晶体硅基体的正表面做制绒处理;对正表面进行硼扩散处理,形成P+掺杂层,并在P+掺杂层表面还形成一硼硅玻璃层;去除硼硅玻璃层以及部分P+掺杂层;背面依次生长氧化硅遂穿层、掺...
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