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本发明涉及微电子与光电子的技术领域，具体涉及一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法，包括第一栅极、第二栅极、绝缘层、第一源极、第二源极、第一P型GeSe半导体有源层、第一N型半导体感光层、第二N型半导体感光层、第二P型Ge...
该专利属于南京信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京信息工程大学授权不得商用。

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