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本发明公开了一种固态图象拾取装置（１０），其具有这样的配置，第二导电型半导体区（１４）形成在光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区（１３）的表面上，由绝缘层形成的浅槽隔离层（２０）埋入到形成在半导体衬底（１１）上的沟道中，浅槽隔离层（２０）...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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