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本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于TMV和Fanout的集成功率模块及其制备方法，包括上下集成的驱动电路和DCB功率电路；所述DCB功率电路包括陶瓷基覆铜板、键合于陶瓷基覆铜板最上层的半导体功率器件和无源器件、从DCB功率塑封体...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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