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本申请涉及一种线圈侵入式的高性能绝缘子分层优化设计方法和装置，属于绝缘子技术领域，以单片绝缘子的磁通密度、电蚀损深度、硬度作为优化目标，建立材料特性的底层优化模型，确定绝缘材料；以绝缘子整体的击穿强度、击穿电压、拉伸强度作为优化目标，建立伞...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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