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公开了图像传感器及其制造方法，其中在特定颜色光路径上，例如在可能导致过量透过的红色光路径上，额外设置部分光屏蔽层，来部分屏蔽相应红光，因此红光、绿光和蓝光透入到半导体衬底的每个光电二极管中，红光透过位置与波长比红光短的绿光和蓝光的透过位置一...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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