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本发明公开了一种自适应三维NAND存储器，具体涉及半导体领域，包括存储芯片，所述存储芯片包括若干个存储块，所述存储块划分为若干个存储子块，所述存储芯片中设置一个无故障存储块为修复块，所述修复块中包括若干个修复子块，存储芯片通过修复块中的修复...
该专利属于蓝芯存储技术（赣州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蓝芯存储技术（赣州）有限公司授权不得商用。

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