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本发明公开了采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件的制备方法，包括在衬底上形成自然氧化层，在自然氧化层上设定有效区域，在有效区域内分别形成压电种子层和牺牲层，压电种子层上形成第一电极，牺牲层的高度不低于压电种子层和第一电极的高度和，去除有...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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