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本发明公开了一种带栅极保护层的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的结构包括设有在衬底上的两个栅极，两个栅极之间具有空隙；两个栅极均由绝缘层、栅极层和保护层组成；其中栅极层位于绝缘层上，保护层覆盖在栅极层的外表面上...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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