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本发明公开了一种MOS器件的宽温模型建模方法，包括步骤S1：根据测试数据，调整MOS器件的常温电学参数和温度相关参数，建立适用于常规温度范围的基本模型；步骤S2：在基本模型中定义宽温区域范围；步骤S3：针对基本模型中与温度相关的模型参数，建...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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