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本发明公开了高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为2"时，TTV＜3um，Bow＜
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该专利属于镓特半导体科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（上海）有限公司授权不得商用。

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