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本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，包括：在完成硅片正面工序后，在PN结到硅片背面之间且靠近PN结的第一目标区域进行氦注入，注入能量为第一能量，剂量为第一剂量；在硅片正面与PN结之间的第二目标区域进行氦注入，其中，注入能量为第二能量，剂...
该专利属于江苏宏微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技股份有限公司授权不得商用。

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