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本实用新型公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，...
该专利属于宁夏中晶半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中晶半导体材料有限公司授权不得商用。

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