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4T CMOS成像器像素中的暗电流和溢出抑制方法和设备技术
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文档序号:3586677
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本发明提供一种用于操作成像器像素的方法和设备,其包含以下动作:在电荷汇集周期期间在转移晶体管的栅极上施加相对较小的第一极性电压和多个第二极性电压的脉冲。...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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