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文档序号:3584501
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通过增大开关(SW2)中包含的MOS晶体管的栅极宽度,提高端子(T2)的电位与接地电位(或电源电位)之间的耐压。由此,即使在端子(T2)被施加了浪涌的情况下,也能够保护其他的开关(SW1)等。另外,由于通过增大开关(SW2)中包含的MOS晶...
该专利属于罗姆股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。
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