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本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长...
该专利属于晋芯先进技术研究院（山西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋芯先进技术研究院（山西）有限公司授权不得商用。

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