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本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，A，对半导体基板进行双面制绒；B，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层；E，...
该专利属于福建金石能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建金石能源有限公司授权不得商用。

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