温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了利用合金熔融技术实现无需释放孔的非化学释放空腔制备方法，为MEMs领域制备空腔体提供一种新的工艺路线，利用光刻技术将需要制备的预空腔的位置暴露出来，进行预空腔的刻蚀，刻蚀出的预空腔通过合金镀膜技术进行填充形成合金层，通过调节合金...
该专利属于浙江鸿业微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江鸿业微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。