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本发明公开基于逆向设计的非对称合解波芯片，属于光学元件、系统或仪器技术领域。该芯片包括第一级非对称合解波单元、第二级对称合解波单元；所提出的非对称合解波芯片由硅基光子集成技术构建，包含由下至上依次层叠的衬底、下包层、芯层及上包层；第一级非对...该专利属于无锡市德科立光电子技术股份有限公司东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市德科立光电子技术股份有限公司东南大学授权不得商用。