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本发明提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底、绝缘层、鳍部、源极、漏极以及栅极结构；其中，绝缘层位于衬底上；鳍部凸出于绝缘层，鳍部包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区；鳍部包括：在朝向背离衬底的方向上依次堆叠设置的第一异质结结构、第...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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