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一种高温绝缘真空腔体及其制备方法技术
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文档序号:35775008
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本发明提供一种高温绝缘真空腔体及其制备方法,包括第一晶片、腔体、第二晶片、绝缘层和高温金属吸气剂薄膜。本发明采用绝缘好、耐温高且与晶片热膨胀系数一致的绝缘层作为键合中间层,提高了键合片的高温绝缘性能,避免了绝缘层与晶片材质在高温下由于热膨失...
该专利属于航天长征火箭技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过航天长征火箭技术有限公司授权不得商用。
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